施敏

施敏（Simon M·Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。
　　施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
　　施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
　　施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。
　　施敏，教授， 1963年1月出生于上海， 1984年毕业于华东理工大学精细化工系，同年经国家教委选拔赴日留学，获得了日本文部省奖学金。1991年在日本的大阪大学获工学博士学位，1995年10月至1996年12月,于美国俄克拉亥玛大学从事博士后的研究工作。在国外十几年的学习和工作期间在有机合成化学、不对称催化、有机光化学等方面做了一系列的工作，在J. Am. Chem. Soc., J. Org. Chem., Chem. Commun., 等著名国际刊物上发表了40多篇论文。1998年3月回国后，在中国科学院上海有机化学研究所金属有机化学国家重点实验室任课题组长，在不对称催化反应、绿色化学、不对称合成和金属有机导向的合成化学等有机化学研究领域均取得了较好的成就，在国际著名刊物上，发表了150多篇文章。研究成果也曾多次被国外著名专家、学者收集、引用(455次)。2000年获得了国家杰出青年基金的资助。近年来，又承担了973项目、基金委重大项目和重点项目及上海市优秀学科带头人项目等。2004年9月，受聘为华东理工大学特聘教授，2005年3月受聘为教育部长江学者。主要从事新型手性金属络合物和手性配体的合成及其不对称催化反应的研究。